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中微半導體對美國泛林科技關於專利侵權訴訟第二次取得決定性勝利

2011-01-2607:00

[td=1,1,680]中微半導體設備有限公司在台灣智慧財產法庭上對美國泛林科技關於專利侵權的法律訴訟上第二次取得了決定性的勝利

上海，台北和舊金山2011年1月26日電/美通社亞洲/--2011年1月25日，中微半導體設備有限公司（AMEC）宣佈中微在美國泛林科技提起的第二輪關於在台灣的專利侵權的上訴中再次獲得了決定性的勝利。1月20日，台灣智慧財產法院再次駁回泛林對於一審判決的上訴。

在另一起的專利案件中，中微公司也獲得了台灣經濟部智慧財產局（TIPO）的判決勝利。昨天，台灣經濟部智慧財產局宣佈泛林科技專利號為I266873的台灣專利（聚焦環裝置專利）由於缺乏新穎性和非顯而易見性（創造性）而無效。泛林科技曾指控中微公司的產品侵害這個專利。

2009年1月，泛林科技第一次提起對中微的專利侵權的訴訟。訴訟的焦點是泛林科技指控中微公司PrimoD-RIE™介質刻蝕設備侵害了泛林在台灣的I36706號專利（電漿密封環專利）。中微公司同時積極應訴並指出侵權的指控是無中生有和毫無依據的。於此同時，中微公司向台灣智慧財產法院提交泛林科技電漿密封環專利和聚集環專利無效的辯訴。雖然聚集環專利也曾經是法庭的一個爭論要點，但是經過幾輪法庭辯論後，泛林科技撤回了自己的訴訟，使得雙方的分歧主要集中在電漿密封環專利的侵權上。

2009年9月，台灣智慧財產法院在一審判決中駁回了美國泛林科技關於電漿密封環專利侵權的訴訟。泛林科技對法庭的判決提出了上訴。2011年1月20日，經過漫長的評議，臺灣智慧財產法院駁回泛林的上訴並再次作出有利中微的判決。法院的正式判決書將會在下個月下達。

法庭的宣判再次證明在美國泛林科技發起和蓄意針對中微PrimoD-RIE產品核心技術和專利侵權的訴訟中，中微是清白和無辜的。

「對於最新的判決我們非常高興」，中微公司首席執行官尹志堯博士強調：「我們多次強調創造獨特的專利技術並尊重競爭對手的專利是我們最基本的商業原則。我們堅決抵制毫無根據的侵權指控。儘管有泛林的法律訴訟的干擾，我們的刻蝕設備仍然穩步地進入台灣和其它亞洲地區。」

中微公司是先進的以亞洲為基地的半導體設備公司。公司致力於通過技術創新提高產能從而降低製造成本，為全球先進的芯片生產廠家提供一系列高端的芯片生產設備。中微公司戰略性地將總部設在全球半導體芯片製造工業最集中的地區，提供獨樹一幟的擁有技術創新和成本解決方案的等離子刻蝕和化學薄膜沉積設備，為65和45/40/32/28納米以及更高端的器件製造提供技術幫助和成本控制方案。中微公司的全球佈局包括在中國大陸，日本，南韓，台灣，新加坡等地設立研發，製造，銷售和客戶服務機構。獲取更多中微公司信息，歡迎登陸中微公司網站：www.amec-inc.com.

[td=1,1,680]欲知詳情，請聯繫：中微公司臺灣聯絡人

朱新萍先生(MichaelChu)

Taiwan&ChinaBusinessManagement

AdvancedMicro-FabricationEquipmentInc.

Tel:+886-932114151

Email:[email protected]

[td=1,1,680]消息來源中微半導體設備有限公司